Toshiba busca hacer memorias flash de menos de 25 nanos

TOKIO (Reuters) - Toshiba estudia invertir unos 15.000 millones de yenes (109 millones de euros) en 2010 para construir una línea de producción para chips de memoria flash avanzados, dijo el diario de negocios Nikkei, lo que impulsó las acciones de la firma japonesa.

El segundo mayor fabricante mundial de memorias flash NAND, por detrás de Samsung Electronics, ha pedido además equipos para la fabricación de chips a ASML para producir microchips con circuitos de menos de 25 nanómetros, dijo el diario Nikkei.

Los circuitos más pequeños permiten a las firmas de semiconductores almacenar más información en una pieza más pequeña de silicio, lo que rebaja el coste de producción por chip.

TOSHIBA (JP6502.TK)actualmente fabrica NAND memorias flash con circuitos de 32 y 43 nanómetros.

Un nanómetro es la milmillonésima parte de un metro.

A diferencia de los chips de memoria de acceso dinámico aleatorio (DRAM, por su sigla en inglés) usados en los ordenadores personales, las memorias NAND pueden retener datos pese a que los equipos están apagados, lo que los hace ideales para dispositivos como teléfonos digitales y cámaras digitales.

Toshiba estudia comenzar la producción de chips NAND con circuitos de un nivel cercano a los 20 nanómetros desde 2012, añadió el Nikkei.

Un portavoz de Toshiba dijo que la firma planea comenzar la producción comercial de memorias flash NAND de entre 20 y 29 nanómetros en la segunda mitad de 2010, pero dijo que la empresa aún no decidió si tendrán un ancho de más o menos de 25 nanómetros.

Las acciones de Toshiba subieron un 3,5 por ciento, superando al índice de maquinaria electrónica de la bolsa de Tokio, que avanzó un 0,8 por ciento.