Transphorm Inc. líder en el diseño y la producción de los más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) de alto voltaje, ha presentado hoy su segundo transistor de efecto de campo (FET) de 900 V, la tercera generación del TP90H050WS, que mejora la única línea de productos de GaN de 900 V del sector. Estos dispositivos ahora permiten que los sistemas industriales trifásicos y la electrónica automotriz de alto voltaje aprovechen la velocidad, eficiencia y densidad de potencia de GaN.
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