La memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva (Magnetoresistive random access memory, MRAM) es el candidato de vanguardia para la próxima generación de tecnologías digitales. Sin embargo, el manejo eficiente y efectivo de la MRAM ha resultado todo un reto. Un equipo de investigación interdisciplinario que opera en la Universidad Nacional Tsing Hua (NTHU) de Taiwán, dirigido por el Prof. Chih-Huang Lai y el Prof. Hsiu-Hau Lin, hizo un descubrimiento revolucionario: al añadir una capa de platino de muy pocos nanómetros de espesor, la MRAM genera una corriente de spin para cambiar a voluntad los momentos magnéticos asociados con la fuerza de anclaje, una tarea que nunca se ha realizado antes.
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