Transphorm Inc., líder en el diseño y la producción de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) de 650 V que cumplen con los estándares JEDEC y AEC-Q101, ha anunciado hoy el primer conjunto completo de datos de validación de transistores de efecto de campo (field effect transistor, FET) de potencia de nitruro de galio (GaN) que operan en el rango de los 600 V y superior. Esta información complementa el anuncio publicado por Transphorm en diciembre de 2018, que indica que la compañía ha comercializado más de 250.000 FET GaN hasta la fecha.
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