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Los transistores de efecto de campo (FET) GaN de alta tensión de Transphorm amplifican la fuente de alimentación de alta frecuencia a nivel militar de los dispositivos de control de Marotta

Transphorm Inc.— líder en el diseño y fabricación de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN) certificados por JEDEC y AEC-Q101, ha anunciado hoy junto con Marotta Controls que la unidad de suministro de energía (PSU), que pronto será lanzada por el proveedor del sector aeroespacial y de defensa, reemplazará a los transistores de efecto de campo de semiconductores de óxido de metal (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET) de silicio (Si) existentes con dispositivos PQFN GaN de alta tensión para ofrecer unos beneficios significativos.

"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".

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