Toshiba Memory Corporation, líder mundial en soluciones de memoria, ha anunciado el desarrollo de la primera[1] memoria flash[2] BiCS FLASH™ tridimensional (3D) que utiliza la tecnología Silicon Via (TSV)[3] con la tecnología de 3 bits por célula (célula de nivel triple, TLC). La entrega de los prototipos para fines de desarrollo se inició en junio y las muestras de productos se lanzarán previsiblemente en el segundo semestre de 2017. El prototipo de este revolucionario dispositivo se presentará en Flash Memory Summit 2017 en Santa Clara, California, Estados Unidos, del 7 al 10 de agosto.
"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".
- Business Wire
