Toshiba Corporation ha desarrollado la tecnología de circuito más rápida del mundo para DRAM integradas para el sistema LSI, alcanzando una velocidad de 833MHz a una densidad de 32Mb. La tecnología será aplicada al procesador gráfico LSI. La tecnología se ha presentado hoy en el ISSCC (International Solid State Circuits Conference), celebrado en San Francisco, California, desde el 3 de febrero.
Las memorias DRAM integradas se aplican a los sistemas en chips para aplicaciones gráficas, ya que pueden leer grandes volúmenes de datos a velocidades más altas que las memorias externas. A medida que las imágenes de video alcanzan mayores niveles de definición, se necesitan mayores velocidades de procesamiento de mayores densidades.
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- Business Wire