La tecnología LDMOS de canal N totalmente aislada recién desarrollada por Toshiba registra una elevada robustez HBM y alto voltaje de ruptura a polarización negativa en semiconductores de potencia analógica de la generación de 0,13 micron

Toshiba (TOKYO:6502) ha desarrollado una tecnología LDMOS de canal N completamente aislada que soluciona el intercambio entre el voltaje de ruptura a polarización negativa (BVnb en sus siglas en inglés) y la robustez HBM, una medida de resistencia a la descarga electroestática. Los detalles de esta novedad se han presentado el 1 de junio en el Simposio internacional sobre dispositivos de semiconductores de potencia y circuitos integrados (International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs 2017- ISPSD 2017), un congreso internacional patrocinado por IEEE sobre semiconductores de potencia, que se celebra en Japón.

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- Business Wire