Toshiba lanza FET de nitrato de galio con la mayor potencia en banda Ku del mundo
--Logra potencia de 65,4W a 14,5GHz--
European Microwave Conference 2007
Toshiba Corporation ha desarrollado un transistor de efecto campo (FET en sus siglas en inglés) basado en nitrato de galio (GaN) para la gama de frecuencia en banda Ku (12GHz a 18GHz) que logra una potencia de 65,4W a 14,5GHz, el nivel más alto de rendimiento jamás conseguido en esta banda de frecuencia.
Toshiba prevé comenzar con el envío de las primeras muestras del nuevo FET a finales de 2007 y comenzar la producción en masa a finales de marzo de 2008.
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- Business Wire