Toshiba anuncia FET de nitruro de galio con la mayor potencia de transmisión del mundo en banda X
Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de un transistor efecto campo (FET en sus siglas en inglés) basado en nitruro de galio (GaN en sus siglas en inglés) que supera con creces el rendimiento operativo del FET de arseniuro de galio (GaAs en sus siglas en inglés) utilizado en los amplificadores de estado sólido en microondas para comunicaciones por microondas por satélite y radar en la gama de frecuencia de banda X de 8GHz a 12GHz.