Transphorm aumenta la inmunidad al ruido y reduce el ruido de conmutación gracias a su plataforma de conversión de energía GaN de tercera generación

Transphorm Inc., líder en el diseño y la fabricación de los primeros y más fiables semiconductores de nitruro de galio (GaN), calificados según JEDEC y AEC-Q101, ha anunciado hoy la disponibilidad de su tercera generación (Gen III) de GaN FET de 650 voltios (V). Los transistores de potencia basados en la tecnología Gen III reducen la interferencia electromagnética (EMI) y aumentan tanto la inmunidad al ruido como el espacio libre en las aplicaciones de circuitos.

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